Datasheet NTE261 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220 — Даташит

Купить NTE261 на РадиоЛоцман.Цены — от 83 до 7 600 ₽ 22 предложений от 12 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 65Вт; TO220
ChipWorker Весь мир	NTE261 NTE Electronics	83 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE261 NTE Electronics	182 ₽	Купить
Эиком Россия	NTE261	от 1 032 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	NTE-261	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low­speed switching applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA D Low Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A = 4V Max @ IC = 5A D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistor Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Power Dissipation Pd: 65 Вт
• DC Collector Current: 5 А
• DC Current Gain Max (hfe): 2500

RoHS: есть