Datasheet NTE262 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220 — Даташит

Купить NTE262 на РадиоЛоцман.Цены — от 126 до 1 097 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 100В; 8А; 65Вт; TO220
ChipWorker Весь мир	NTE262 NTE Electronics	126 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE262 NTE Electronics	178 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE262 NTE Electronics	189 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE-262	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE261 (NPN) & NTE262 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE261 (NPN) and NTE262 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low­speed switching applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 2500 Typ @ IC = 4A D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min @ 100mA D Low Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 3A = 4V Max @ IC = 5A D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistor Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• C-E Breakdown Voltage: 100 В
• DC Current Gain Min (hfe): 4.0
• Тип корпуса: TO-220
• Ток номинальный: 5 А
• Number of Cross References: 293
• Способ монтажа: 5
• Voltage Rating: 100 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fairchild - TIP115
• Fairchild - TIP127