Datasheet NTE263 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220 — Даташит

Купить NTE263 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 25 670 ₽ 12 предложений от 8 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-220 NPN 100V 10A
ChipWorker Весь мир	NTE263 NTE Electronics	147 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NTE263 NTE Electronics	211 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE263 NTE Electronics	228 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NTE263	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 100 В, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE263 (NPN) & NTE264 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE263 (NPN) and NTE264 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low­speed switching applications.

Features: D High DC Current Gain: = 2500 Typ (NTE263) hFE = 3500 Typ (NTE264) D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 100V Min D Low Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 5A D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistor Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Power Dissipation Pd: 65 Вт
• DC Collector Current: 10 А
• DC Current Gain Max (hfe): 20000

RoHS: есть