Datasheet NTE269 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -50 В — Даташит

NTE Electronics NTE269

Наименование модели: NTE269

Купить NTE269 на РадиоЛоцман.Цены — от 236 до 30 071 ₽ 21 предложений от 11 поставщиков Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 50В; 2А; 10Вт; TO202N
ТМ Электроникс Россия	NTE269 NTE Electronics	от 540 ₽
Зенер Россия и страны ТС	NTE269	от 666 ₽
Элитан Россия	NTE269 NTE Electronics	15 400 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	NTE269	по запросу

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -50 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE268 (NPN) & NTE269 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
Description: The NTE268 (NPN) and NTE269 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO202 type package designed for amplifier and driver applications where high gain is an essential require ment, low power lamp and relay drivers and power drivers for high-current applications such as volt age regulators.

Features: D Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V Max @ IC = 1.5A D TO202 Type Package: 2W Free Air Dissipation @ TA = +25°C Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Emitter-Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Полярность транзистора: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
Power Dissipation Pd: 40 Вт
DC Collector Current: 4 А
DC Current Gain Max (hfe): 2000
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C