Datasheet NTE272 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 40 В — Даташит

NTE Electronics NTE272

Наименование модели: NTE272

Купить NTE272 на РадиоЛоцман.Цены — от 665 до 296 717 ₽ 20 предложений от 10 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 40В; 2А; 10Вт; TO202N
AllElco Electronics Весь мир	NTE272	от 665 ₽
ЧипСити Россия	NTE272 NTE Electronics	2 795 ₽
ТМ Электроникс Россия	NTE272 NTE Electronics	от 4 881 ₽
Зенер Россия и страны ТС	NTE272	от 5 177 ₽

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 40 В

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE272 (NPN) & NTE273 (PNP) Silicon Darlington Complementary Power Amplifiers
Description: The NTE272 (NPN) and NTE273 (PNP) are silicon complementary Power Amplifiers in a TO202 type case designed for use in complementary amplifiers and driver applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 25,000 (Min) @ IC = 200mA = 15,000 (Min) @ IC = 500mA D Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CES = 40V @ IC = 500mA D Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V @ IC = 1A D Monolithic Construction for High Reliability Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage (Note 2), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Collector-Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Collector-Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V Emitter-Base

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
Power Dissipation Pd: 1 Вт
DC Collector Current: 2 А
DC Current Gain Max (hfe): 65000
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C

Дополнительные аксессуары:

WAKEFIELD SOLUTIONS - 289-AB