Datasheet NTE323 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -120 В, TO-39 — Даташит

NTE Electronics NTE323

Наименование модели: NTE323

Купить NTE323 на РадиоЛоцман.Цены — от 87 до 37 161 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Silicon Complementary Transistors General Purpose
AiPCBA Весь мир	NTE323 NTE Electronics	270 ₽
Элитан Россия	NTE323 NTE Electronics	1 175 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	NTE323.	по запросу
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	NTE323 NTE Electronics	по запросу

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -120 В, TO-39

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE323 (PNP) & NTE324 (NPN) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE323 (PNP) and NTE324 (NPN) are complementary silicon epitaxial planer transistors in a TO39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.

Absolute Maximum Ratings: CollectorBase Voltage (IE = 0), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V EmitterBase Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

Полярность транзистора: PNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -120 В
Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
Power Dissipation Pd: 150 Вт
DC Collector Current: 16 А
DC Current Gain Max (hfe): 140

RoHS: есть