Datasheet NTE324 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 120 В TO-39 — Даташит
Наименование модели: NTE324
![]() 22 предложений от 12 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-39 NPN 120V 1A | |||
NTE324 NTE Electronics | 2 533 ₽ | ||
NTE324 NTE Electronics | от 4 598 ₽ | ||
NTE324 | по запросу | ||
NTE324 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 120 В TO-39
Краткое содержание документа:
NTE323 (PNP) & NTE324 (NPN) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE323 (PNP) and NTE324 (NPN) are complementary silicon epitaxial planer transistors in a TO39 type package designed for use as drivers for high power transistors in general purpose amplifier and switching circuits.
Absolute Maximum Ratings: CollectorBase Voltage (IE = 0), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V EmitterBase Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 4 В
- Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
- Power Dissipation Pd: 10 Вт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 40
RoHS: есть