Datasheet NTE386 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 500 В, TO-3 — Даташит
Наименование модели: NTE386
![]() 29 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-3 NPN 500V 20A | |||
NTE386 NTE Electronics | 1 534 ₽ | ||
NTE386 NTE Electronics | от 3 145 ₽ | ||
NTE386 NTE Electronics | 5 053 ₽ | ||
NTE386 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 500 В, TO-3
Краткое содержание документа:
NTE386 Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch
Description: The NTE386 is a silicon NPN power transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high speed power switching in inductive circuit where fall time is critical.
This device is particularly suited for line operated switchmode applications. Applications: D Switching Regulators D Inverters D Solenoid and Relay Drivers D Motor Controls D Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V CollectorEmitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 500 В
- Power Dissipation Pd: 10 Вт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 150
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 403K