Datasheet NTE390 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, NPN, 100 В, TO-218 — Даташит
Наименование модели: NTE390
![]() 24 предложений от 11 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-218 NPN 100V 10A | |||
NTE390 NTE Electronics | 347 ₽ | ||
NTE390 | от 546 ₽ | ||
NTE390 NTE Electronics | от 1 699 ₽ | ||
NTE390 | 40 781 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, NPN, 100 В, TO-218
Краткое содержание документа:
NTE390 (NPN) & NTE391 (PNP) Silicon Complementary Transistors General Purpose
Description: The NTE390 (NPN) and NTE391 (PNP) are silicon compelementary transistors in a TO218 type package designed for general purpose power amplifier and switching applications.
Features: D 10A Collector Current D Low Leakage Current: ICEO = 0.7mA @ VCE = 60V D Excellent DC Gain: hFE = 40 Typ @ 3A D High Current Gain Bandwidth Product: hfe = 3 Min @ IC = 500mA, f = 1MHz Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 3 МГц
- Power Dissipation Pd: 80 Вт
- DC Collector Current: 10 А
- DC Current Gain Max (hfe): 40
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB