Datasheet NTE48 - NTE Electronics Даташит Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 50 В — Даташит
Наименование модели: NTE48
![]() 16 предложений от 12 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 50В; 1А; 1Вт; TO92L | |||
NTE48 NTE Electronics | 170 ₽ | ||
NTE48 NTE Electronics | 233 ₽ | ||
NTE48 | 25 833 ₽ | ||
NTE48 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Составной транзистор Дарлингтона, NPN, 50 В
Краткое содержание документа:
NTE48 Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current
Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCES .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Transition Frequency Typ ft: 1 ГГц
- Power Dissipation Pd: 1 Вт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 40000
RoHS: есть