Datasheet NTE55 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -150 В, TO-220 — Даташит
Наименование модели: NTE55
![]() 17 предложений от 11 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-220 PNP 150V 8A | |||
NTE55 | 436 ₽ | ||
NTE55 NTE Electronics | от 1 992 ₽ | ||
NTE55 | 43 517 ₽ | ||
NTE55 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -150 В, TO-220
Краткое содержание документа:
NTE54 (NPN) & NTE55 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Frequency Driver for Audio Amplifier
Description: The NTE54 (NPN) and NTE55 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO220 type case designed for use as a high frequency driver in audio amplifier applications.
Features: D DC Current Gain Specified to 4A: hFE = 40 Min @ IC = 3A = 20 MIn @ IC = 4A D CollectorEmitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 150V Min D High Current GainBandwidth Product: fT = 30MHz Min @ IC = 500mA Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V EmitterBase Voltage, VEB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Collector Current, IC Continuous . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -150 В
- Transition Frequency Typ ft: 30 МГц
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- DC Collector Current: -8 А
- DC Current Gain Max (hfe): 40
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB