Datasheet NTE61 - NTE Electronics Даташит Биполярный транзистор, PNP, -140 В TO-3 — Даташит

Купить NTE61 на РадиоЛоцман.Цены — от 502 до 3 489 ₽ 22 предложений от 12 поставщиков Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications
Зенер Россия и страны ТС	NTE61	от 1 510 ₽	Купить
Эиком Россия	NTE61	от 3 460 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE61 NTE Electronics	от 3 489 ₽	Купить
МосЧип Россия	NTE61MCP NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Биполярный транзистор, PNP, -140 В TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications
Description: The NTE60 (NPN) and NTE61 (PNP) are complementary silicon power transistors in a TO3 type package designed for high power audio, disk head positioners, and other linear applications.

Features: D High Safe Operating Area: 250W @ 50V D For Low Distortion Complementary Designs D High DC Current Gain: hFE = 25 Min @ IC = 5A Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V Collector­Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V Emitter­Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -140 В
• Transition Frequency Typ ft: 2 МГц
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• DC Collector Current: 17 А
• DC Current Gain Max (hfe): 25

RoHS: есть