Datasheet NTE291 - NTE Electronics Даташит Small Signal биполярный транзистор — Даташит
Наименование модели: NTE291
![]() 16 предложений от 12 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TO-220 NPN 120V 4A | |||
NTE291 | от 40 ₽ | ||
NTE291 | по запросу | ||
NTE-291 | по запросу | ||
NTE291 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Small Signal биполярный транзистор
Краткое содержание документа:
NTE291 (NPN) & NTE292 (PNP) Silicon Complementary Transistors Medium Power Amp, Switch
Description: The NTE291 (NPN) and NTE292 (PNP) are GeneralPurpose MediumPower silicon complementary transistors in a TO220 type package designed for switching and amplifier applications.
They are especially designed for series and shunt regulators and as a driver and output stage of highfidelity amplifiers. Features: D Low Saturation Voltage Absolute Maximum Ratings: CollectortoBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V CollectortoEmitter Voltage (RBB = 100, VBB = 0), VCEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130V CollectortoEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V EmitterToBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 130 В
- Частота единичного усиления типовая: 4 МГц
- Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
- DC Collector Current: 4 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- DC Current Gain: 150
- DC Current Gain Min: 2
- Тип корпуса: TO-220
RoHS: есть