Datasheet DTA114EMT2L - Rohm Даташит Транзистор, цифровой, PNP — Даташит

Купить DTA114EMT2L на РадиоЛоцман.Цены — от 1.68 до 505 ₽ 35 предложений от 17 поставщиков С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
ТМ Электроникс Россия	DTA114EMT2L Rohm	от 10 ₽	Купить
ЧипСити Россия	DTA114EMT2L Rohm	44 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	DTA114EMT2L	505 ₽	Купить
ЭК ЗИП Россия	DTA114EMT2L	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Транзистор, цифровой, PNP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Transistors
DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA DTA114EKA / DTA114ESA
-100mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA / DTA114EKA / DTA114ESA
Applications Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the device design easy. Structure PNP epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type) Dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
• Корпус транзистора: VMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Код применяемости: T2L
• Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: -100 мА
• Тип корпуса: VMT3
• Power Dissipation Pd: 150 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 150 мВт
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть