Datasheet 2N3584 - NTE Electronics Даташит SILICON NPN транзистор, 250 В, 2 А, TO-66 — Даташит

Купить 2N3584 на РадиоЛоцман.Цены — от 283 до 23 226 ₽ 30 предложений от 21 поставщиков NTE ELECTRONICS 2N3584 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350V, 35W, 5A, 100 hFE
IC Home Весь мир	JANTX2N3584 Microchip	18 458 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	2N3584JTXV Central Semiconductor	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	2N3584 Central Semiconductor	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	JX2N3584	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: SILICON NPN транзистор, 250 В, 2 А, TO-66

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE384 Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp/Switch
Description: The NTE384 is a multiple epitaxial silicon NPN power transistor in a TO66 type package utilizing a multiple­emitter site structure.

Multiple­epitaxial construction maximizes the volt­ampere characteristic of the device and provides fast switching speeds. Multiple­emitter design ensures uniform current flow throughout the structure, which produces a high IS/b and a large safe­operation­area. The NTE384 is characterized for use in inverters operating directly from a rectified 110V power line. The leakage current is specified at 450V; therefore the device can also be used in a series bridge configuration on a 220V line. The VEBO rating of 9V eases requirements on the drive transformer in inverter applications. Features: D Maximum Safe­Area­of­Operation D Low Saturation Voltages D High Voltage Rating: VCER(sus) = 375V D High Dissipation Rating: PT = 45W Absolute Maximum Ratings: Collector­Base Voltage, VCBO . . . . .

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 250 В
• DC Collector Current: 5 А
• DC Current Gain: 100
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
• Рассеиваемая мощность: 35 Вт
• RoHS: да