Datasheet DTC114EMT2L - Rohm Даташит Транзистор, цифровой, NPN — Даташит

Купить DTC114EMT2L на РадиоЛоцман.Цены — от 2.12 до 4 147 ₽ 33 предложений от 16 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов NPN 50V 50MA
ЭИК Россия	DTC114EMT2L Rohm	от 12 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	DTC114EMT2L Rohm	от 14 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	DTC114EMT2L	1 320 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	DTC114EM-T2L Weitron	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Транзистор, цифровой, NPN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Transistors
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA DTC114EKA / DTC114ESA
100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA / DTC114ESA
Applications Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the device design easy. Structure NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type) Dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
• Корпус транзистора: VMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Код применяемости: T2L
• Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• Тип корпуса: VMT3
• Power Dissipation Pd: 150 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 150 мВт
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть