Datasheet DTC114EMT2L - Rohm Даташит Транзистор, цифровой, NPN — Даташит

Купить DTC114EMT2L на РадиоЛоцман.Цены — от 2.09 до 4 088 ₽ 31 предложений от 14 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов NPN 50V 50MA
AiPCBA Весь мир	DTC114EMT2L Rohm	2.52 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	DTC114EMT2L Rohm	от 4.39 ₽	Купить
Эиком Россия	DTC114EMT2L Rohm	от 12 ₽	Купить
727GS Весь мир	DTC114EMT2L Rohm	4 088 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Транзистор, цифровой, NPN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Transistors
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA DTC114EKA / DTC114ESA
100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
DTC114EM / DTC114EE / DTC114EUA / DTC114EKA / DTC114ESA
Applications Inverter, Interface, Driver Features 1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of almost completely eliminating parasitic effects. 3) Only the on/off conditions need to be set for operation, making the device design easy. Structure NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type) Dimensions (Unit : mm)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Частота единичного усиления типовая: 250 МГц
• Корпус транзистора: VMT
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Код применяемости: T2L
• Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• Тип корпуса: VMT3
• Power Dissipation Pd: 150 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 150 мВт
• Способ монтажа: SMD

RoHS: есть