Datasheet BC817DS,115 - NXP Даташит Транзистор NPN 0.5 А 45 В SOT457 — Даташит
Наименование модели: BC817DS,115
![]() 42 предложений от 19 поставщиков Транзистор: NPN x2; биполярный; 45В; 0,5А; 600мВт | |||
BC817DS,115 Nexperia | от 13 ₽ | ||
BC817DS,115 Nexperia | 27 ₽ | ||
BC817DS,115 Microchip | по запросу | ||
BC817DS.115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор NPN 0.5 А 45 В SOT457
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D302
BC817DS NPN general purpose double transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
- Рассеиваемая мощность: 600 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain: 160
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 700 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 160
- Тип корпуса: SOT-457
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
BC817DS115, BC817DS 115