Datasheet BFG198,115 - NXP Даташит TRANS NPN 10 В 8 ГГц SOT223 — Даташит

Купить BFG198,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 1 281 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans RF BJT NPN 10V 0.1A 1000mW 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
ChipWorker Весь мир	BFG198,115 NXP	29 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BFG198,115 NXP	100 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	BFG198115 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	BFG198,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN 10 В 8 ГГц SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFG198 NPN 8 GHz wideband transistor
Product specification 1995 Sep 12
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 10 В
• Transition Frequency Typ ft: 8 ГГц
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 90
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Ic Continuous a Max: 50 мА
• Частота единичного усиления типовая: 8 ГГц
• DC Current Gain Min: 40
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: RF Wideband

RoHS: есть

Варианты написания:

BFG198115, BFG198 115