Datasheet BFG35,115 - NXP Даташит TRANS NPN 10 В 150 мА SOT223 — Даташит

Купить BFG35,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 3 639 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans RF BJT NPN 18V 0.15A 1000mW 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
ЧипСити Россия	BFG35,115 NXP	99 ₽	Купить
727GS Весь мир	BFG35,115 NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BFG35,115 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	BFG35,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN 10 В 150 мА SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFG35 NPN 4 GHz wideband transistor
Product specification Supersedes data of 1995 Sep 12 1999 Aug 24
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 18 В
• Transition Frequency Typ ft: 4 ГГц
• Рассеиваемая мощность: 1 Вт
• DC Collector Current: 150 мА
• DC Current Gain: 70
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• Частота единичного усиления типовая: 4 ГГц
• DC Current Gain Min: 25
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: RF Wideband

RoHS: есть

Варианты написания:

BFG35115, BFG35 115