Datasheet BFG540/X,215 - NXP Даташит TRANS NPN 15 В 9 ГГц SOT143B — Даташит
Наименование модели: BFG540/X,215
![]() 19 предложений от 18 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans RF BJT NPN 15V 0.12A 400mW 4Pin(3+Tab) SOT-143B T/R | |||
BFG540/X,215 NXP | от 306 ₽ | ||
BFG540X215PHI NXP | по запросу | ||
BFG540/X,215N NXP | по запросу | ||
BFG540/X+215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN 15 В 9 ГГц SOT143B
Краткое содержание документа:
BFG540; BFG540/X; BFG540/XR
NPN 9 GHz wideband transistor
Rev.
05 -- 21 November 2007 Product data sheet
IMPORTANT NOTICE
Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below. http://www.philips.semiconductors.com use http://www.nxp.com http://www.semiconductors.philips.com use http://www.nxp.com (Internet) [email protected] use [email protected] (email) The copyright notice at the bottom of each page (or elsewhere in the document, depending on the version) - © Koninklijke Philips Electronics N.V. (year). All rights reserved is replaced with: - © NXP B.V. (year). All rights reserved. If you have any questions related to the data sheet, please contact our nearest sales office via e-mail or phone (details via salesaddresses@nx
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 15 В
- Transition Frequency Typ ft: 9 ГГц
- Рассеиваемая мощность: 400 мВт
- DC Collector Current: 120 мА
- DC Current Gain: 120
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-143B
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Ic Continuous a Max: 40 мА
- Частота единичного усиления типовая: 9 ГГц
- DC Current Gain Min: 60
- Тип корпуса: SOT-143B
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: RF Wideband
RoHS: есть
Варианты написания:
BFG540/X215, BFG540/X 215