Datasheet BFM520,115 - NXP Даташит TRANS NPN сдвоенный 70 мА 8 В SOT363 — Даташит
Наименование модели: BFM520,115
![]() 19 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans RF BJT NPN 8V 0.07A 6Pin TSSOP T/R | |||
BFM520,115 NXP | от 276 ₽ | ||
BFM520,115 NXP | по запросу | ||
BFM520,115 NXP | по запросу | ||
BFM520,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN сдвоенный 70 мА 8 В SOT363
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BFM520 Dual NPN wideband transistor
Product specification Supersedes data of 1995 Sep 04 1996 Oct 08
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 8 В
- Transition Frequency Typ ft: 9 ГГц
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- DC Collector Current: 70 мА
- DC Current Gain: 120
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Ic Continuous a Max: 20 мА
- Частота единичного усиления типовая: 9 ГГц
- DC Current Gain Min: 60
- Тип корпуса: SOT-363
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: RF Wideband
RoHS: есть
Варианты написания:
BFM520115, BFM520 115