Datasheet BST50,115 - NXP Даташит TRANS NPN 45 В 0.5 А SOT89 — Даташит
Наименование модели: BST50,115
![]() 38 предложений от 21 поставщиков Биполярный транзистор, дарлингтона, NPN, 45 В, 1 А, 1.3 Вт, SOT-89, Surface Mount | |||
BST50+115 Nexperia | по запросу | ||
BST50,115 NXP | по запросу | ||
PH.BST50,115 | по запросу | ||
BST50115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN 45 В 0.5 А SOT89
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D109
BST50; BST51; BST52 NPN Darlington transistors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 45 В
- Transition Frequency Typ ft: 200 МГц
- Рассеиваемая мощность: 1.3 Вт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain: 2000
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.3 В
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Частота единичного усиления типовая: 200 МГц
- DC Current Gain Min: 2000
- Тип корпуса: SOT-89
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Darlington
RoHS: есть
Варианты написания:
BST50115, BST50 115