Datasheet PBSS306NX,115 - NXP Даташит TRANS NPN 100 В 3.7 А SOT-89 — Даташит
Наименование модели: PBSS306NX,115
![]() 47 предложений от 18 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 4,5А; 2,1Вт; SC62,SOT89 | |||
PBSS306NX115 NXP | 18 ₽ | ||
PBSS306NX,115 Nexperia | от 22 ₽ | ||
PBSS306NX,115 Nexperia | по запросу | ||
PBSS306NX,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN 100 В 3.7 А SOT-89
Краткое содержание документа:
PBSS306NX
100 V, 4.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
02 -- 8 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Transition Frequency Typ ft: 110 МГц
- Рассеиваемая мощность: 600 мВт
- DC Collector Current: 4.5 А
- DC Current Gain: 330
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-89
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 40 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 500 мА
- Частота единичного усиления типовая: 110 МГц
- DC Current Gain Min: 200
- Тип корпуса: SOT-89
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Low Saturation (BISS)
RoHS: есть
Варианты написания:
PBSS306NX115, PBSS306NX 115