Datasheet PBSS4160DS,115 - NXP Даташит BISS транзистор, сдвоенный NPN, 60 В, 1 А, 6-SOT-457 — Даташит
Наименование модели: PBSS4160DS,115
![]() 36 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы | |||
PBSS4160DS,115 Nexperia | от 7.30 ₽ | ||
PBSS4160DS,115 Nexperia | от 18 ₽ | ||
PBSS4160DS,115 Nexperia | 32 ₽ | ||
PBSS4160DS,115 NXP | от 223 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: BISS транзистор, сдвоенный NPN, 60 В, 1 А, 6-SOT-457
Краткое содержание документа:
PBSS4160DS
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
04 -- 11 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain: 500
- Transition Frequency Typ ft: 220 МГц
- Полярность транзистора: NPN
- Рассеиваемая мощность: 290 мВт
- RoHS: да
Варианты написания:
PBSS4160DS115, PBSS4160DS 115