Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PBSS4160DS,115 - NXP Даташит BISS транзистор, сдвоенный NPN, 60 В, 1 А, 6-SOT-457 — Даташит

NXP PBSS4160DS,115

Наименование модели: PBSS4160DS,115

36 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы
Зенер
Россия и страны ТС
PBSS4160DS,115
Nexperia
от 7.30 ₽
PBSS4160DS,115
Nexperia
от 18 ₽
Maybo
Весь мир
PBSS4160DS,115
Nexperia
32 ₽
727GS
Весь мир
PBSS4160DS,115
NXP
от 223 ₽
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: BISS транзистор, сдвоенный NPN, 60 В, 1 А, 6-SOT-457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS4160DS
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

04 -- 11 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
  • DC Collector Current: 1 А
  • DC Current Gain: 500
  • Transition Frequency Typ ft: 220 МГц
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рассеиваемая мощность: 290 мВт
  • RoHS: да

Варианты написания:

PBSS4160DS115, PBSS4160DS 115

На английском языке: Datasheet PBSS4160DS,115 - NXP BISS TRANSISTOR, DUAL NPN, 60 V, 1 A, 6-SOT-457

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка