Datasheet PBSS4160V,115 - NXP Даташит TRANS NPN 60 В 1 А низкий SAT SOT666 — Даташит

Купить PBSS4160V,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.12 до 47 ₽ 21 предложений от 9 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7
AllElco Electronics Весь мир	PBSS4160V,115 Nexperia	от 8.12 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PBSS4160V115 NXP	8.67 ₽	Купить
Эиком Россия	PBSS4160V,115 Nexperia	от 16 ₽	Купить
Maybo Весь мир	PBSS4160V,115 Nexperia	35 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN 60 В 1 А низкий SAT SOT666

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS4160V
60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

03 -- 11 December 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
• Transition Frequency Typ ft: 220 МГц
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• DC Collector Current: 900 мА
• DC Current Gain: 400
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-666
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 110 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• Частота единичного усиления типовая: 220 МГц
• DC Current Gain Min: 250
• Тип корпуса: SOT-666
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Low Saturation (BISS)

RoHS: есть

Варианты написания:

PBSS4160V115, PBSS4160V 115