Datasheet PBSS8110Y - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-363 — Даташит

Купить PBSS8110Y на РадиоЛоцман.Цены — от 2.43 до 79 ₽ 36 предложений от 17 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные
Компонентс Ру Россия	PBSS8110Y,115 Nexperia	от 15 ₽	Купить
Эиком Россия	PBSS8110Y,115 Nexperia	от 32 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PBSS8110Y,115 NXP	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	PBSS8110Y,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, SOT-363

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• Power Dissipation Pd: 290 мВт
• DC Collector Current: 1 А
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-363
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 40 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 1 А
• Current Ic Continuous a Max: 1 А
• DC Current Gain: 1 А
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• DC Current Gain Min: 80
• Тип корпуса: SOT-363
• Рассеиваемая мощность максимальная: 430 мВт
• Power Dissipation per device Max: 290 мВт
• SMD Marking: 81
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Electrolube - SMA10SL
• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7