Datasheet PBSS8110Y - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-363 — Даташит
Наименование модели: PBSS8110Y
![]() 34 предложений от 16 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 1А; 625мВт; SC88,SOT363,TSSOP6 | |||
PBSS8110Y,115 Nexperia | от 21 ₽ | ||
PBSS8110Y,115 NXP | от 23 ₽ | ||
PBSS8110Y,115 NXP | по запросу | ||
PBSS8110Y Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, SOT-363
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Power Dissipation Pd: 290 мВт
- DC Collector Current: 1 А
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-363
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 40 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 1 А
- Current Ic Continuous a Max: 1 А
- DC Current Gain: 1 А
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- DC Current Gain Min: 80
- Тип корпуса: SOT-363
- Рассеиваемая мощность максимальная: 430 мВт
- Power Dissipation per device Max: 290 мВт
- SMD Marking: 81
- Способ монтажа: SMD
- Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7