Источники питания Keen Side

Datasheet PBSS8110Y - NXP Даташит Транзистор, NPN, SOT-363 — Даташит

NXP PBSS8110Y

Наименование модели: PBSS8110Y

34 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 1А; 625мВт; SC88,SOT363,TSSOP6
PBSS8110Y,115
Nexperia
от 21 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
PBSS8110Y,115
NXP
от 23 ₽
PBSS8110Y,115
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PBSS8110Y
Nexperia
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, SOT-363

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
  • Power Dissipation Pd: 290 мВт
  • DC Collector Current: 1 А
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-363
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 40 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 1 А
  • Current Ic Continuous a Max: 1 А
  • DC Current Gain: 1 А
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • DC Current Gain Min: 80
  • Тип корпуса: SOT-363
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 430 мВт
  • Power Dissipation per device Max: 290 мВт
  • SMD Marking: 81
  • Способ монтажа: SMD
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 120 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Electrolube - SMA10SL
  • LICEFA - V11-7-6-10
  • LICEFA - V11-7

На английском языке: Datasheet PBSS8110Y - NXP TRANSISTOR, NPN, SOT-363

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка