Datasheet PDTC114EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN, 50 В, 0.1 А, SOT416 — Даташит
Наименование модели: PDTC114EE,115
![]() 17 предложений от 14 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов TRANS RET TAPE-7 | |||
PDTC114EE,115 Nexperia | 3.00 ₽ | ||
PDTC114EE.115 NXP | по запросу | ||
PDTC114EE115 NXP | по запросу | ||
PDTC114EE,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN, 50 В, 0.1 А, SOT416
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC114E series NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k, R2 = 10 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Apr 10 2004 Aug 05
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 30
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 10 мА
- DC Current Gain Min: 30
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PDTC114EE115, PDTC114EE 115