Datasheet PDTC114EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN, 50 В, 0.1 А, SOT416 — Даташит

NXP PDTC114EE,115

Наименование модели: PDTC114EE,115

Купить PDTC114EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.64 до 5.13 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков транз: (+резисторы) NPN 50V 0,1A hоэ min 30, 150mW R1-10ком ,R2-10ком SOT416 упаковка-3000
Стандарт СИЗ Россия	PDTC114EE,115 Philips	0.64 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	PDTC114EE,115 NXP	1.37 ₽
ТаймЧипс Россия	PDTC114EE,115PBFREEM NXP	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	PDTC114EE115 NXP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN, 50 В, 0.1 А, SOT416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC114E series NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k, R2 = 10 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Apr 10 2004 Aug 05
NXP Semiconductors

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
Рассеиваемая мощность: 150 мВт
DC Collector Current: 100 мА
DC Current Gain: 30
Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOT-416
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
Current Ic Continuous a Max: 10 мА
DC Current Gain Min: 30
Тип корпуса: SOT-416
Способ монтажа: SMD
Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC114EE115, PDTC114EE 115