Datasheet PDTC114ET - NXP Даташит Транзистор, цифровой, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PDTC114ET
![]() 58 предложений от 30 поставщиков Транзисторы биполярные.Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/30000Вес брутто: 0.04 | |||
PDTC114ET Nexperia | от 0.99 ₽ | ||
PDTC114ET215 Philips | 1.56 ₽ | ||
PDTC114ET,235 Nexperia | от 3.00 ₽ | ||
PDTC114ET/16 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, цифровой, SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
halfpage
M3D088
PDTC114ET NPN resistor-equipped transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- DC Current Gain: 5 мА
- DC Current Gain Min: 30
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
- SMD Marking: p/t16
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Bias Resistor (BRT)
- Обратный ток перехода база-коллектор: 50 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901