Datasheet PDTC114TT,215 - NXP Даташит TRANS, NPN, 50 В, 0.1 А, SOT23 — Даташит

Купить PDTC114TT,215 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.83 до 18 ₽ 58 предложений от 25 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
ICdarom.ru Россия	PDTC114TT,215 Nexperia	от 2.28 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PDTC114TT,215 Nexperia	от 6.21 ₽	Купить
Эиком Россия	PDTC114TT,215 Nexperia	от 6.80 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PDTC114TT@215 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN, 50 В, 0.1 А, SOT23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC114T series
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = open
Rev.

08 -- 9 February 2006 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 250 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 200
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• DC Current Gain Min: 200
• Тип корпуса: SOT-23
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC114TT215, PDTC114TT 215