Datasheet PDTC115EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416 — Даташит

Купить PDTC115EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.60 до 35 ₽ 13 предложений от 13 поставщиков Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 20 mA 150 mW Surface Mount SC-75
AiPCBA Весь мир	PDTC115EE115 NXP	5.05 ₽	Купить
Эиком Россия	PDTC115EE,115 Nexperia	5.70 ₽	Купить
727GS Весь мир	PDTC115EE,115 NXP	35 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	PH.PDTC115EE,115	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = 100 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Apr 06 2004 Aug 06
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 150 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 80
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-416
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 5 мА
• DC Current Gain Min: 80
• Тип корпуса: SOT-416
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC115EE115, PDTC115EE 115