Datasheet PDTC115EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416 — Даташит
Наименование модели: PDTC115EE,115
Купить PDTC115EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.30 до 288 ₽ 10 предложений от 9 поставщиков Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 | |||
PDTC115EE,115 NXP | от 4.30 ₽ | ||
PDTC115EE115 NXP | 5.38 ₽ | ||
PDTC115EE115 NXP | 5.60 ₽ | ||
PDTC115EE,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN W/RES 50 В SOT-416
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC115E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 k, R2 = 100 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Apr 06 2004 Aug 06
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 150 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 80
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 5 мА
- DC Current Gain Min: 80
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PDTC115EE115, PDTC115EE 115