Datasheet PDTC123EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES SOT-416 — Даташит

Купить PDTC123EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.37 до 79 ₽ 14 предложений от 12 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов NPN W/RES 50V
ЧипСити Россия	PDTC123EE,115 NXP	24 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	PDTC123EE.115 NXP	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	PDTC123EE,115 NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PDTC123EE,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN W/RES SOT-416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Mar 18 2004 Aug 06
NXP Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рассеиваемая мощность: 150 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• DC Current Gain: 30
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-416
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 10 мА
• DC Current Gain Min: 30
• Тип корпуса: SOT-416
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC123EE115, PDTC123EE 115