Datasheet PDTC123EE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES SOT-416 — Даташит

NXP PDTC123EE,115

Наименование модели: PDTC123EE,115

Купить PDTC123EE,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 408 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Переключающие транзисторы - на основе резисторов NPN W/RES 50V
Utmel Весь мир	PDTC123EE,115 Nexperia	от 16 ₽
ЧипСити Россия	PDTC123EE,115 NXP	28 ₽
ТаймЧипс Россия	PDTC123EE,115 NXP	по запросу
Flash-Turtle Весь мир	PDTC123EE,115 NXP	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN W/RES SOT-416

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC123E series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Mar 18 2004 Aug 06
NXP Semiconductors

Спецификации:

Полярность транзистора: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
Рассеиваемая мощность: 150 мВт
DC Collector Current: 100 мА
DC Current Gain: 30
Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
Корпус транзистора: SOT-416
Количество выводов: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
Current Ic Continuous a Max: 10 мА
DC Current Gain Min: 30
Тип корпуса: SOT-416
Способ монтажа: SMD
Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC123EE115, PDTC123EE 115