Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet PDTC144WE,115 - NXP Даташит TRANS NPN W/RES SOT-416 — Даташит

NXP PDTC144WE,115

Наименование модели: PDTC144WE,115

9 предложений от 9 поставщиков
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75
PDTC144WE,115
Nexperia
11 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
PDTC144WE,115
NXP
по запросу
PDTC144WE,115
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PDTC144WE115
NXP
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN W/RES SOT-416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PDTC144W series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k, R2 = 22 k
Product data sheet Supersedes data of 2004 Mar 23 2004 Aug 17
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 60
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 10 мА
  • DC Current Gain Min: 60
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PDTC144WE115, PDTC144WE 115

На английском языке: Datasheet PDTC144WE,115 - NXP TRANS NPN W/RES SOT-416

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка