Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PEMH4,115 - NXP Даташит TRANS NPN/NPN 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит

NXP PEMH4,115

Наименование модели: PEMH4,115

41 предложений от 19 поставщиков
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666. Transistors...
Lixinc Electronics
Весь мир
PEMH4,115
Rochester Electronics
2.42 ₽
PEMH4,115
Nexperia
от 16 ₽
ChipWorker
Весь мир
PEMH4115
NXP
81 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PEMH4,115
по запросу
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS NPN/NPN 50 В 0.1 А SOT666

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PEMH4; PUMH4 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = open
Product data sheet Supersedes data of 2003 Oct 02 2004 Apr 14
NXP Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Рассеиваемая мощность: 300 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 200
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-666
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 150 мВ
  • Current Ic Continuous a Max: 10 мА
  • DC Current Gain Min: 200
  • Тип корпуса: SOT-666
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Варианты написания:

PEMH4115, PEMH4 115

На английском языке: Datasheet PEMH4,115 - NXP TRANS NPN/NPN 50 V 0.1 A SOT666

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка