Datasheet PEMH9,115 - NXP Даташит TRANS NPN/NPN 50 В 0.1 А SOT666 — Даташит
Наименование модели: PEMH9,115
![]() 44 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — массивы, предсмещённые | |||
PEMH9,115 Nexperia | от 6.00 ₽ | ||
PEMH9,115 Nexperia | от 15 ₽ | ||
PEMH9,115 NXP | 33 ₽ | ||
PEMH9,115 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN/NPN 50 В 0.1 А SOT666
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PIMH9; PUMH9; PEMH9 NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 47 k
Product data sheet Supersedes data of 2003 Sep 15 2004 Apr 14
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рассеиваемая мощность: 300 мВт
- DC Collector Current: 100 мА
- DC Current Gain: 100
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-666
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 100 мВ
- Current Ic Continuous a Max: 5 мА
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-666
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
PEMH9115, PEMH9 115