Datasheet PMBTA13,215 - NXP Даташит TRANS NPN 30 В 0.5 А SOT23 — Даташит
Наименование модели: PMBTA13,215
![]() 33 предложений от 14 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,5А; 250мВт; SOT23 | |||
PMBTA13,215 NXP | от 4.37 ₽ | ||
PMBTA13,215 Nexperia | от 6.17 ₽ | ||
PMBTA13,215 Nexperia | по запросу | ||
PH.PMBTA13,215 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS NPN 30 В 0.5 А SOT23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
PMBTA13; PMBTA14 NPN Darlington transistors
Product data sheet Supersedes data of 1999 Apr 29 2004 Jan 22
NXP Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Transition Frequency Typ ft: 125 МГц
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain: 10000
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
- Current Ic Continuous a Max: 100 мА
- Частота единичного усиления типовая: 125 МГц
- DC Current Gain Min: 10000
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Darlington
RoHS: есть
Варианты написания:
PMBTA13215, PMBTA13 215