Datasheet PBSS4160T,215 - NXP Даташит BISS транзистор, NPN, 60 В, 1 А, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PBSS4160T,215
![]() 46 предложений от 18 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
PBSS4160T,215 TE Connectivity | 9.02 ₽ | ||
PBSS4160T,215 Nexperia | 33 ₽ | ||
PBSS4160T,215 NXP | по запросу | ||
PH.PBSS4160T,215 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: BISS транзистор, NPN, 60 В, 1 А, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
PBSS4160T 60 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Transition Frequency Typ ft: 220 МГц
- Power Dissipation Pd: 270 мВт
- DC Collector Current: 1 А
- DC Current Gain Max (hfe): 400
RoHS: есть
Варианты написания:
PBSS4160T215, PBSS4160T 215