Datasheet PMBT5551,215 - NXP Даташит Биполярный транзистор, HIGH VOLTAGE, NPN, 160 В, 300 мА, 3-SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMBT5551,215
![]() 56 предложений от 23 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
PMBT5551,215 Nexperia | от 6.99 ₽ | ||
PMBT5551,215 NXP | 11 ₽ | ||
PMBT5551.215 (хG1) SOT-23 транзистор | 44 ₽ | ||
PMBT5551,215 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Биполярный транзистор, HIGH VOLTAGE, NPN, 160 В, 300 мА, 3-SOT-23
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D088
PMBT5551 NPN high-voltage transistor
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160 В
- Transition Frequency Typ ft: 300 МГц
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- DC Collector Current: 300 мА
RoHS: есть
Варианты написания:
PMBT5551215, PMBT5551 215