Datasheet PBRN123ET - NXP Даташит Транзистор, NPN, 40 В, 0.8 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PBRN123ET
![]() 27 предложений от 15 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 40V TO236AB / Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 600 mA 250 mW Surface Mount... | |||
PBRN123ET,215 Nexperia | от 9.00 ₽ | ||
PBRN123ET,215 Nexperia | по запросу | ||
PBRN123ET,215 Nexperia | по запросу | ||
PBRN123ET,215 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 40 В, 0.8 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
PBRN123E series
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.
01 -- 27 February 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: -1.15 В
- Ток коллектора постоянный максимальный: 800 мА
- Current Ic Continuous a Max: 800 мА
- DC Current Gain Min: 350
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- Resistance R1: 2.2 кОм
- Resistance R2: 2.2 кОм
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE901