Datasheet PBSS301ND - NXP Даташит Транзистор, NPN, 20 В, 4 А, SSOT-6 — Даташит
Наименование модели: PBSS301ND
![]() 25 предложений от 18 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TSOP NPN 20V 4A | |||
PBSS301ND,115 NXP | от 13 ₽ | ||
PBSS301ND,115 Nexperia | 38 ₽ | ||
PBSS301ND115 NXP | по запросу | ||
PBSS301ND NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 20 В, 4 А, SSOT-6
Краткое содержание документа:
PBSS301ND
20 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
03 -- 7 September 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 20 В
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SSOT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 420 мВ
- Current Ic @ Vce Sat: 6 А
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- DC Current Gain: 500 мА
- DC Current Gain Min: 300
- Тип корпуса: SSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть