Datasheet PBSS303ND - NXP Даташит Транзистор, NPN, 60 В, 3 А, SSOT-6 — Даташит
Наименование модели: PBSS303ND
Купить PBSS303ND на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 53 ₽ 21 предложений от 14 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-7 | |||
PBSS303ND.115 Nexperia | 10 ₽ | ||
PBSS303ND,115 Nexperia | от 12 ₽ | ||
PBSS303ND115 NXP | по запросу | ||
PBSS303ND,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 60 В, 3 А, SSOT-6
Краткое содержание документа:
PBSS303ND
60 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
02 -- 14 December 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60 В
- Частота единичного усиления типовая: 140 МГц
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SSOT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 515 мВ
- Current Ic @ Vce Sat: 6 А
- Current Ic Continuous a Max: 3 А
- DC Current Gain: 500 мА
- DC Current Gain Min: 345
- Тип корпуса: SSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть