Источники питания KEEN SIDE

Datasheet PBSS305ND - NXP Даташит Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, SSOT-6 — Даташит

NXP PBSS305ND

Наименование модели: PBSS305ND

32 предложений от 17 поставщиков
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 140MHz 1.1 W Surface Mount 6-TSOP
PBSS305ND,115
Nexperia
от 31 ₽
Maybo
Весь мир
PBSS305ND,115
Nexperia
40 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PBSS305ND115
NXP
по запросу
Контест
Россия
PBSS305ND
Philips
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 100 В, 3 А, SSOT-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PBSS305ND
100 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.

02 -- 7 December 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100 В
  • Частота единичного усиления типовая: 140 МГц
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SSOT
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 360 мВ
  • Current Ic @ Vce Sat: 4 А
  • Current Ic Continuous a Max: 3 А
  • DC Current Gain: 500 мА
  • DC Current Gain Min: 170
  • Тип корпуса: SSOT-6
  • Power Dissipation Pd: 1.1 мВт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PBSS305ND - NXP TRANSISTOR, NPN, 100 V, 3 A, SSOT-6

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка