Datasheet PDTD123ET - NXP Даташит Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PDTD123ET
![]() 50 предложений от 22 поставщиков Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм | |||
PDTD123ET,215 NXP | 1.92 ₽ | ||
PDTD123ET NXP | от 6.17 ₽ | ||
PDTD123ET,215 NXP | 31 ₽ | ||
PDTD123ET T/R NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
PDTD123E series
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.
02 -- 16 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 50 мА
- DC Current Gain Min: 40
- Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- Resistance R1: 2.2 кОм
- Resistance R2: 2.2 кОм
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE901