Datasheet PDTD123ET - NXP Даташит Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

Купить PDTD123ET на РадиоЛоцман.Цены — от 1.91 до 31 ₽ 58 предложений от 24 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
Элитан Россия	PDTD123ET NXP	3.02 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PDTD123ET,215 NXP	13 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	PDTD123ET,215 Nexperia	от 13 ₽	Купить
SUV System Весь мир	PDTD123ET,215 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTD123E series
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.

02 -- 16 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
• Current Ic Continuous a Max: 50 мА
• DC Current Gain Min: 40
• Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
• Power Dissipation Pd: 250 мВт
• Resistance R1: 2.2 кОм
• Resistance R2: 2.2 кОм
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE901