OKW: приборные корпуса из Германии

Datasheet PDTD123TT - NXP Даташит Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

NXP PDTD123TT

Наименование модели: PDTD123TT

28 предложений от 17 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 500 мА, 2.2 кОм
T-electron
Россия и страны СНГ
PDTD123TT.215
Nexperia
2.24 ₽
PDTD123TT,215
Nexperia
5.83 ₽
PDTD123TT,215
NXP
по запросу
Augswan
Весь мир
PDTD123TT,215
Nexperia
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTD123T series
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = open
Rev.

03 -- 16 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: NPN
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • Power Dissipation Pd: 250 мВт
  • DC Collector Current: 50 мА
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 50 мА
  • DC Current Gain: 250
  • DC Current Gain Min: 100
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Resistance R1: 2.2 кОм
  • Способ монтажа: SMD

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet PDTD123TT - NXP TRANSISTOR, NPN, 50 V, 0.5 A, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка