Datasheet PDTD123TT - NXP Даташит Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PDTD123TT
![]() 28 предложений от 17 поставщиков Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 500 мА, 2.2 кОм | |||
PDTD123TT.215 Nexperia | 2.24 ₽ | ||
PDTD123TT,215 Nexperia | 5.83 ₽ | ||
PDTD123TT,215 NXP | по запросу | ||
PDTD123TT,215 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
PDTD123T series
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = open
Rev.
03 -- 16 November 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
- Power Dissipation Pd: 250 мВт
- DC Collector Current: 50 мА
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
- Ток коллектора постоянный максимальный: 500 мА
- Current Ic Continuous a Max: 50 мА
- DC Current Gain: 250
- DC Current Gain Min: 100
- Тип корпуса: SOT-23
- Resistance R1: 2.2 кОм
- Способ монтажа: SMD
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Roth Elektronik - RE901