Datasheet PBSS302ND - NXP Даташит Транзистор, NPN, 40 В, 4 А, SSOT-6 — Даташит
Наименование модели: PBSS302ND
![]() 28 предложений от 16 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, TSOP NPN 40V 4A | |||
PBSS302ND125 Nexperia | от 0.46 ₽ | ||
PBSS302ND115 NXP | 24 ₽ | ||
PBSS302ND,115 Nexperia | 43 ₽ | ||
QSX4 (Philips-PBSS302ND,115) | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор, NPN, 40 В, 4 А, SSOT-6
Краткое содержание документа:
PBSS302ND
40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
Rev.
02 -- 18 February 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: NPN
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Частота единичного усиления типовая: 150 МГц
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SSOT
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Collector Emitter Voltage Vces: 450 мВ
- Current Ic @ Vce Sat: 6 А
- Current Ic Continuous a Max: 4 А
- DC Current Gain: 500 мА
- DC Current Gain Min: 300
- Тип корпуса: SSOT-6
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 1.1 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть