Datasheet PDTD113ZT - NXP Даташит Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23 — Даташит

Купить PDTD113ZT на РадиоЛоцман.Цены — от 0.91 до 31 ₽ 59 предложений от 27 поставщиков TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB. Transistors - Bipolar...
AiPCBA Весь мир	PDTD113ZT,215 TE Connectivity	2.52 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PDTD113ZT,215 Nexperia	29 ₽	Купить
МосЧип Россия	PDTD113ZT,215 NXP	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	PDTD113ZT NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, NPN, 50 В, 0.5 А, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTD113ZT
NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 k, R2 = 10 k
Rev.

02 -- 23 March 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: 300 мВ
• Current Ic Continuous a Max: 50 мА
• DC Current Gain Min: 70
• Тип корпуса: SOT-23 (TO-236)
• Power Dissipation Pd: 250 мВт
• Resistance R1: 1 кОм
• Resistance R2: 10 кОм
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: General Purpose

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE901