Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BC856B - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

NXP BC856B

Наименование модели: BC856B

63 предложений от 31 поставщиков
Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 65 В, 100 мА, 250 мВт, SOT-23, Surface Mount
ЗУМ-СМД
Россия
BC856B
0.05 ₽
BC856B,215
Philips
0.30 ₽
Romstore
Россия, Беларусь
BC856B
от 4.00 ₽
BC856B,215
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC856; BC857; BC858 PNP general purpose transistors
Product data sheet Supersedes data of 2003 Apr 09 2004 Jan 16
NXP Semiconductors

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: PNP
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65 В
  • Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
  • Power Dissipation Pd: 250 мВт
  • DC Collector Current: 100 мА
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
  • Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
  • Current Ic Continuous a Max: 100 мА
  • DC Current Gain: 2 мА
  • Маркировка: BC856B
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
  • DC Current Gain Min: 220
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
  • Power Dissipation per device Max: 250 мВт
  • SMD Marking: 3B
  • Ширина ленты: 8 мм
  • Способ монтажа: SMD
  • Обратный ток перехода база-коллектор: 80 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • LICEFA - V11-7
  • ON Semiconductor - BC856BLT1G
  • Roth Elektronik - RE901

На английском языке: Datasheet BC856B - NXP TRANSISTOR, PNP, SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России