Datasheet BC856B - NXP Даташит Транзистор, PNP, SOT-23 — Даташит

Купить BC856B на РадиоЛоцман.Цены — от 0.05 до 99 ₽ 63 предложений от 31 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: PNPМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: -65Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: -80Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: -5Напряжение насыщения КЭ...
ЗУМ-СМД Россия	BC856B	0.05 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	KT3129B-9 (Philips-BC856B,235) Philips	0.30 ₽	Купить
Триема Россия	BC856B	1.00 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	BC856B,215 Nexperia	от 5.58 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Транзистор, PNP, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC856; BC857; BC858 PNP general purpose transistors
Product data sheet Supersedes data of 2003 Apr 09 2004 Jan 16
NXP Semiconductors

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65 В
• Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
• Power Dissipation Pd: 250 мВт
• DC Collector Current: 100 мА
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
• Ток коллектора постоянный максимальный: 100 мА
• Current Ic Continuous a Max: 100 мА
• DC Current Gain: 2 мА
• Маркировка: BC856B
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Частота единичного усиления минимальная: 100 МГц
• DC Current Gain Min: 220
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Рассеиваемая мощность максимальная: 250 мВт
• Power Dissipation per device Max: 250 мВт
• SMD Marking: 3B
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Обратный ток перехода база-коллектор: 80 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• ON Semiconductor - BC856BLT1G
• Roth Elektronik - RE901