Datasheet BC856BW,115 - NXP Даташит Транзистор PNP 65 В 0.1 А SOT323 — Даташит

Наименование модели: BC856BW,115
58 предложений от 25 поставщиков TRANS PNP 65V 0.1A SOT323. Bipolar (BJT) Transistor PNP 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SC-70. Transistors - Bipolar (BJT) -... | |||
| BC856BW.115 | по запросу | ||
| BC856BW,115 Nexperia | по запросу | ||
| PH.BC856BW,115 | по запросу | ||
| BC856BW115 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Транзистор PNP 65 В 0.1 А SOT323
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
dbook, halfpage
M3D102
BC856W; BC857W; BC858W PNP general purpose transistors
Спецификации:
- Полярность транзистора: PNP
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -65 В
- Transition Frequency Typ ft: 100 МГц
- Рассеиваемая мощность: 200 мВт
- DC Collector Current: -100 мА
- DC Current Gain: 220
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Collector Emitter Voltage Vces: -300 мВ
- Current Ic Continuous a Max: -10 мА
- Частота единичного усиления типовая: 100 МГц
- DC Current Gain Min: 220
- Тип корпуса: SOT-323
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: General Purpose
RoHS: есть
Варианты написания:
BC856BW115, BC856BW 115






